

手動(dòng)探針臺(tái)LNP-3RT
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手動(dòng)探針臺(tái)LNP-3RT特點(diǎn)
探針臺(tái)材質(zhì)升級:主體材質(zhì)航空級鋁材;卡盤材質(zhì)不銹鋼(可選鍍金),具備更小的接觸電阻,更低的漏電流;
探針臺(tái)臺(tái)體升級:自適應(yīng)減震臺(tái)體,帶標(biāo)準(zhǔn)地線,防止靜電干擾;
標(biāo)配精度高:卡盤X-Y行程精度1um,探針X-Y-Z行程精度1um;
快速升降操作:卡盤快速升降,便于快速分離探針;顯微鏡氣動(dòng)升降,便于更換物鏡和探針卡夾具;
標(biāo)配氣浮式位移臺(tái):有效隔振,確保移動(dòng)過程平穩(wěn),有效提升位移扎針精度;?
多種卡盤可選:可選配高低溫載片臺(tái)系統(tǒng),同軸/三軸/鍍金卡盤可供選擇,滿足不同預(yù)算和多種應(yīng)用場景需求;
針座平臺(tái)升級:全新表面處理工藝,相比鍍鉻針座吸附力更強(qiáng),提高測試精度,還可安裝探針夾具,兼容探針卡測試;
多種探針座可選:不同調(diào)節(jié)精度(0.5um/0.7um/1um)針座可選,DC直流或RF射頻探針座可選;
自帶完整高清成像系統(tǒng):多種類型顯微鏡可選,帶高清CCD成像系統(tǒng),可拍照,錄像,標(biāo)尺,可連接顯示器實(shí)時(shí)觀察;
快速拓展功能:可選配激光器進(jìn)行失效分析/激光切割/激光打標(biāo);
手動(dòng)探針臺(tái)技術(shù)參數(shù):
設(shè)備型號 | LNP-3RT |
卡盤大小 | 8英寸(可定制) |
卡盤X-Y行程 | 200mm x 200mm |
卡盤X-Y精度 | 1um |
氣浮X-Y位移臺(tái) | 標(biāo)配 |
卡盤Z軸行程 | 快速升降5mm,微調(diào)6mm |
卡盤旋轉(zhuǎn)角度 | 粗調(diào)360°,精調(diào)±5° |
探針X-Y-Z行程 | 12.5mm-12.5mm-12.5mm |
探針X-Y-Z行程精度 | 1um |
顯微鏡X-Y行程 | 2 英寸x 2 英寸 |
顯微鏡快速升降 | 快速升降50mm |
顯微鏡類型 | 體式顯微鏡/正像顯微鏡/金相顯微鏡 |
CCD相機(jī) | 2K清晰度(可拍照,錄像,標(biāo)尺) |
探針座數(shù)量 | 最多6個(gè)(可定制) |
卡盤吸附形式 | 環(huán)形或多孔真空吸附環(huán) |
針座吸附方式 | 磁力吸附 |
應(yīng)用對象:晶圓(Si/Ge/GaAs/InP/SiC/GaN等)、芯片(邏輯/數(shù)字/模擬/存儲(chǔ)等)、集成電路、顯示面板(LED/OLED/LCD等)、功率器件(IGBT、MOSFET等)、納米器件、光電器件、分立器件(二極管、三極管、場晶體管等)、太陽能電池等;
應(yīng)用方向:DC 直流/(IV、CV、漏電流)測試、介電溫譜測試、FA失效分析測試、器件表征測試、芯片線路測試、MEMS微型機(jī)電系統(tǒng)測試、集成電路工程、PCB元器件、WLR晶圓級可靠性、老化測試、RF 射頻測試、高精度電流(100fA 級)測試、高功率/大電流/高電壓測試、光電測試、1/f 噪聲測試等。
手動(dòng)探針臺(tái)聯(lián)用儀器:源表/數(shù)字電橋/半導(dǎo)體參數(shù)分析儀/數(shù)字萬用表/示波器/網(wǎng)絡(luò)分析儀/頻譜分析儀/阻抗分析儀等,根據(jù)需求提供聯(lián)用方案!
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