霍爾效應測試系統（霍爾效應測試儀）HET-3RT依據范德堡法則測量材料的電運輸性能參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數、方阻等，薄膜或薄層材料均可測量，可應用于所有半導體材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可測量）,廣泛應用于國內高校、研究所、半導體、金屬、高熱導有機新材料等行業。