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嘉儀通霍爾效應(yīng)測試儀：助力氧化鎵單晶產(chǎn)業(yè)突破
- 分類： 品牌故事
- 作者：管理員
- 來源：本站
- 發(fā)布時(shí)間：2025-03-26
- 訪問量： 605
【概要描述】2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世，標(biāo)志著中國半導(dǎo)體···
嘉儀通霍爾效應(yīng)測試儀：助力氧化鎵單晶產(chǎn)業(yè)突破
【概要描述】2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世，標(biāo)志著中國半導(dǎo)體···
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2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世，標(biāo)志著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在第四代材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式突破。作為鎵仁半導(dǎo)體的核心合作伙伴，?武漢嘉儀通科技有限公司?憑借自主研發(fā)的霍爾效應(yīng)測試儀HET系列，為其氧化鎵單晶產(chǎn)品提供了第三方檢測支持，以高精度、多維度的電學(xué)性能數(shù)據(jù)驗(yàn)證了材料的產(chǎn)業(yè)化潛力?。
針對8英寸氧化鎵單晶襯底的導(dǎo)電型與UID兩種晶體，武漢嘉儀通（Jouleyacht）霍爾效應(yīng)測試儀通過范德堡法同步測定了電阻率、載流子濃度等關(guān)鍵參數(shù)：
導(dǎo)電型晶體?：電阻率低至25mΩ·cm，載流子濃度達(dá)2.9×101? cm?1；
UID晶體?：電阻率高達(dá)664mΩ·cm，載流子濃度僅6.9×101? cm?1?。
武漢嘉儀通（Jouleyacht）子公司光谷薄膜為鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶襯底出具的檢測報(bào)告
?
氧化鎵作為超寬禁帶半導(dǎo)體，其電學(xué)性能的穩(wěn)定性直接影響器件可靠性。嘉儀通霍爾效應(yīng)測試儀通過以下應(yīng)用場景為產(chǎn)業(yè)升級提供支撐：
材料篩選?：鑒別N/P型導(dǎo)電類型，評估晶體缺陷與摻雜均勻性?；
工藝監(jiān)控?：實(shí)時(shí)反饋電阻率分布，指導(dǎo)單晶生長參數(shù)調(diào)整?；
器件設(shè)計(jì)?：提供遷移率與載流子濃度關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)，縮短芯片研發(fā)周期；
合作共贏：推動國產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)建設(shè)。?
鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶的突破，不僅刷新了全球技術(shù)紀(jì)錄，更驗(yàn)證了國產(chǎn)檢測設(shè)備的國際競爭力。武漢嘉儀通（Jouleyacht）霍爾效應(yīng)測試儀憑借在GaN、SiC等寬禁帶材料領(lǐng)域的成熟經(jīng)驗(yàn)，持續(xù)為氧化鎵等第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提供“中國方案”，助力構(gòu)建從材料、設(shè)備到芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈?。
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