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变温变磁霍尔效应测试仪HET-3TM
变温变磁霍尔效应测试仪HET-3TM
变温变磁霍尔效应测试系统HET-3TM支持标准法和范德堡法两种测量方法。其中标准法通过测量特定方向电压差计算参数；范德堡法测量材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等电运输性能参数，该方法可对薄膜或薄层材料进行测量
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科教一体霍尔效应测试仪
科教一体霍尔效应测试仪
教学仪器的价格，科研设备的体验：科教一体霍尔效应测试仪HET-3L是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考。
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霍尔效应测试系统(HET-3RT)
霍尔效应测试系统(HET-3RT)
霍尔效应测试系统（霍尔效应测试仪）HET-3RT依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、方阻等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
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霍尔效应测试系统(HET-3)
霍尔效应测试系统(HET-3)
霍尔效应测试系统HET-3依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
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薄膜热电参数测试系统(MRS-3)
薄膜热电参数测试系统(MRS-3)
薄膜热电参数测试系统MRS-3专门针对薄膜材料的变温seebeck系数和电阻率的测量仪器，采用动态法和四线法保证测试结果的准确和稳定，拥有宽广的测试范围和便捷的操作界面。
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热电参数测试系统(Namicro-3)
热电参数测试系统(Namicro-3)
热电参数测试系统Namicro-3采用动态法(具有专利技术-专利号：ZL201811242049.2发明专利)和四线法分别测量样品的Seebeck系数和电阻率。Namicro-3主要是用于测试块体热电材料，包括康铜、镍、钨等金属，Te、Bi2Te3、ZrNiSn、ZnAgSb、NiMoSb、SnTe、FeNbSb、CuGaTe2、GeTe、Ag1-xCuS、Cu2ZnSnSe4等半导体及化合物，以及聚苯胺、PEDOT等高分子聚合物。
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薄膜热电参数测试系统(MRS-3RT)
薄膜热电参数测试系统(MRS-3RT)
薄膜热电参数测试系统MRS-3RT专门针对常温下薄膜材料的泽贝克系数和电阻率的测量仪器，采用动态法和四线法保证测试结果的准确和稳定，拥有宽广的测试范围和便捷的操作界面。
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便携式热电参数测试仪(PTM-5)
便携式热电参数测试仪(PTM-5)
便携式热电参数测试仪PTM-5可用于快速测试薄膜、块体、纤维等不同形态热电材料的Seebeck系数和电导率，为热电材料的科学研究及产业效率的提升提供更专业、便携的新选择。
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